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风暴魔域戈壁boss:中國3納米晶體管研發獲突破 在芯片前沿發起正面競爭

2019年05月28日 11:33 ? 次閱讀

手机风暴魔域幻兽进化 www.eatye.icu 港媒稱,內地的科學家說,他們已經研發出一種晶體管,這種晶體管將大大增強芯片的性能,并大幅降低它們的能耗。

據香港《南華早報》網站5月27日報道,現如今,市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學院微電子研究所微電子設備與集成技術領域的專家殷華湘說,他的團隊已經研發出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數百億個這種晶體管。

殷華湘說,晶體管變得越小,芯片上就能安裝越多的晶體管,這會讓處理器的性能顯著提升。晶體管是處理器的基本部件。殷華湘說,用3納米晶體管制造的處理器將會增加計算速度,并降低能耗。比如一位智能手機用戶可以整天玩需要大量計算能力的游戲,卻不需要為電池重新充電。

殷華湘說,他的團隊還必須克服一些重大障礙。他們的研究成果本月部分發表在同行評議雜志《電氣與電子工程師協會電子器件通訊》上。其中一個障礙是“波爾茲曼暴政”。路德維?!げǘ嚷?9世紀的奧地利物理學家?!安ǘ嚷┱泵枋齙氖怯泄氐繾釉諞桓隹占渲械姆植嘉侍?。對芯片研發者來說,這意味著隨著更多較小的晶體管安裝到芯片上,晶體管所需電流產生的熱量將燒毀芯片。

報道稱,物理學家已經為這個問題提供了解決辦法。殷華湘說,他的團隊使用一種稱為“負電容”的方法,這樣他們能用理論上所需最小電量的一半電量來為晶體管提供電力。這種晶體管實現商業應用可能要花幾年時間。該團隊正在進行材料和質量控制方面的工作。

殷華湘說:“這是我們工作中最激動人心的部分。這不僅是實驗室中的又一項新發現。它有著實際應用的巨大潛力。而我們擁有專利?!?/p>

報道稱,殷華湘說,這項突破將讓中國“在芯片研發的前沿同世界頭號角色進行正面競爭”。他說:“在過去,我們看著其他人競爭。現在,我們在同其他人競爭?!?/p>

據報道,中國還在研發一種原子大?。?.5納米)的晶體管,而其他國家已經加入將3納米晶體管投入市場的競賽。

韓國三星公司說,它計劃到明年上半年完成3納米晶體管的研發。三星說,同7納米技術相比,用它的3納米晶體管制造的處理器只需用一半的電力,性能卻會提高35%。三星沒有說它預計這些芯片將于何時投產。

本文來自參考消息,本文作為轉載分享。

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信息產品分類接口和隔離 IOS子系統產品詳情AC1301是一款AC/DC雙輸出、±15 V DC電源,提供±350 mA的電流。利用附帶的安裝夾和硬件,可以將其安裝在3B01、3B02或3B03背板上。工作溫度范圍為-25°C至+70°C。

發表于 2019-04-18 19:14 ? 42次閱讀
AC1301 3B系列電源、115V交流輸入、±...

BAS21 通用高電壓二極管

信息采用工藝1H設計。 如需相關特性,請參見MMBD1401。This product is general usage and suitable for many different applications.

發表于 2019-04-18 19:14 ? 17次閱讀
BAS21 通用高電壓二極管

BAS20L 200 V開關二極管

信息高壓開關二極管專為高壓,高速開關應用而設計。該雙二極管器件包含兩個封裝在SOT-23表面的電隔離高壓開關二極管 無鉛封裝可用。 適用于汽車和其他應用的NSV前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS20L 200 V開關二極管

AC1315 I / O背板電纜

信息產品分類接口和隔離 IOS子系統Additional 7B Resources: Accessories and Backplanes?Sales and Service: North America (SCS Embedded Tech), Rest of World

發表于 2019-04-18 19:14 ? 32次閱讀
AC1315 I / O背板電纜

BAS20HT1 開關二極管,高壓,200 V

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。 無鉛封裝可用 S汽車前綴和其他需要獨特站點和控制變更要求的應用程序; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS20HT1 開關二極管,高壓,200 V

BAS19L 開關二極管,高壓120 V

信息高壓開關二極管專為高壓,高速開關應用而設計。該雙二極管器件包含兩個封裝在SOT-23表面的電隔離高壓開關二極管 無鉛封裝可用。 適用于汽車和其他應用的NSV前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS19L 開關二極管,高壓120 V

BAS21AH 開關二極管,低漏電

信息 BAS21AHT1G是采用SOD-323封裝的低漏電開關二極管。該器件與BAS21HT1G相同,具有更好的反向漏電流(IR)規格性能。 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS21AH 開關二極管,低漏電

BAS16M3 100 V開關二極管

信息 BAS16M3T5G開關二極管是我們廣受歡迎的SOT-23三引線器件的衍生產品。它專為開關應用而設計,采用SOT-723表面貼裝封裝。該器件非常適用于低功耗表面貼裝應用,其中電路板空間非常寶貴。 引腳表面處理:100%無光澤錫(錫) 極小的SOT-723封裝< / LI>

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BAS16M3 100 V開關二極管

BAS16L 100 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SOT-23表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 無鉛封裝可用 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS16L 100 V開關二極管

BAS16XV2 開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。 引線表面處理:100%啞光錫(錫) 合格回流溫度:260°C 極小型SOD-523封裝 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS16XV2 開關二極管

BAS16T 100 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。 可提供無鉛封裝* 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS16T 100 V開關二極管

BAS16W 100 V開關二極管

信息開關二極管設計用于超高速開關應用。該器件采用SC-70封裝,專為低功耗表面貼裝應用而設計。 可提供無鉛封裝 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS16W 100 V開關二極管

BAS16SL 小信號二極管

信息小信號二極管 低正向壓降 快速開關 非常小的薄型 最大剖面高度為0.43mm 尺寸為1.0 x 0.6mm

發表于 2019-04-18 19:14 ? 28次閱讀
BAS16SL 小信號二極管

BAS16P2 100 V開關二極管

信息 BAS16P2T5G開關二極管是我們廣受歡迎的SOT-23三引線器件的衍生產品。它專為開關應用而設計,安裝在SOD-923表面該封裝非常適合低功率表面貼裝應用,其中電路板空間非常寶貴。 極小的SOD-923封裝

發表于 2019-04-18 19:13 ? 20次閱讀
BAS16P2 100 V開關二極管

BAS16 (Legacy Fairchild)...

信息 SOT-23封裝中的開關二極管。 高 - 速度切換應用

發表于 2019-04-18 19:13 ? 22次閱讀
BAS16 (Legacy Fairchild)...

BAS16DXV6 雙開關二極管,100 V

信息采用SOT-563封裝的雙開關二極管。 引腳表面處理:100%無光澤錫(錫) 合格回流焊溫度:260°C 超小型SOD-523封裝 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:13 ? 28次閱讀
BAS16DXV6 雙開關二極管,100 V

BAS116T 75 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SC-75表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 低漏電流應用 中速開關時間 這些器件是無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準

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BAS116T 75 V開關二極管

BAS16H 100 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。 S汽車及其他應用的前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

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BAS16H 100 V開關二極管

BAS116L 75 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SOT-23表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 低漏電流應用 中速開關時間 8 mm卷帶和卷盤 - 使用BAS116LT1訂購7英寸/ 3,000單位卷軸 Pb - 免費套餐。 汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:13 ? 34次閱讀
BAS116L 75 V開關二極管

BAR43 肖特基二極管

信息 BAR43 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。

發表于 2019-04-18 19:13 ? 30次閱讀
BAR43 肖特基二極管

BAR43C 肖特基二極管

信息 BAR43C 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。

發表于 2019-04-18 19:13 ? 37次閱讀
BAR43C 肖特基二極管

BAR43S 肖特基二極管

信息 BAR43S 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。

發表于 2019-04-18 19:13 ? 42次閱讀
BAR43S 肖特基二極管

BAL99L 70 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SOT-23表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:13 ? 44次閱讀
BAL99L 70 V開關二極管

A5191HRT 工業HART協議調制解調器

信息 A5191HRT是一款單芯片CMOS調制解調器,適用于高速公路可尋址遠程傳感器(HART)現場儀表和主機。調制解調器和一些外部無源組件提供滿足HART物理層要求所需的所有功能,包括調制,解調,接收濾波,載波檢測和發送信號整形。 A5191HRT與SYM20C15引腳兼容。有關引腳與SYM20C15兼容性的詳細信息,請參見引腳說明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位連續頻移鍵控(FSK)。為了節省功率,接收電路在發送操作期間被禁用,反之亦然。這提供了HART通信中使用的半雙工操作。 低功耗 Bell 202移位頻率為1200 Hz和2200 Hz 單芯片,半 - 雙工1200比特FSK調制解調器 發送信號波形整形 接收帶通濾波器 滿足HART物理層要求 CMOS兼容 電路圖、引腳圖和封裝圖...

發表于 2019-04-18 19:13 ? 28次閱讀
A5191HRT 工業HART協議調制解調器

CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25128是一個128 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫?;すδ?,包括部分和全部陣列?;?。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件?;?低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0和1,1) 工業和擴展溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁寫緩沖區 塊寫?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留< / li> 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 具有永久寫?;さ母郊穎曄兌?..

發表于 2019-04-18 19:13 ? 34次閱讀
CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25256是一個256 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫?;すδ?,包括部分和全部陣列?;?。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫?;さ母郊穎曄兌常ㄐ虜罰?自定時寫周期 硬件和軟件?;? 100年數據保留 1,000,000編程/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫?;? / li> - ?;? / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業和擴展溫度范圍 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤UDFN和TDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...

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CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片?。ǎ┢粲?。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫?;すδ?,包括部分和全部陣列?;?。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件?;?塊寫?;? - ?;? / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...

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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為1024x8 / 2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25080 / 25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫?;すδ?,包括部分和全部陣列?;?。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 32字節頁寫緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件?;?塊寫?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝...

發表于 2019-04-18 19:13 ? 38次閱讀
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...

信息 MC10 / 100EP32是一個集成的2分頻器,具有差分CLK輸入。 V 引腳是內部產生的電源,僅適用于該器件。對于單端輸入條件,未使用的差分輸入連接到V 作為開關參考電壓。 V 也可以重新連接AC耦合輸入。使用時,通過0.01μF電容去耦V 和V ,并限制電流源或吸收至0.5mA。不使用時,V 應保持開路。復位引腳是異步的,并在上升沿置位。上電時,內部觸發器將達到隨機狀態;復位允許在系統中同步多個EP32。 100系列包含溫度補償。 350ps典型傳播延遲 最大頻率> 4 GHz典型 PECL模式工作范圍:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范圍:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打開輸入默認狀態< / li> 輸入安全鉗位 Q輸出打開或V 無鉛封裝可用時默認為低電平 < / DIV>...

發表于 2019-04-18 19:13 ? 30次閱讀
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...